2018年中國(guó)晶圓代工行業(yè)現(xiàn)狀及未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)分析（圖）

    一、全球代工市場(chǎng)增長(zhǎng)平穩(wěn)，最先進(jìn)制程創(chuàng)造增量空間

    智能手機(jī)、PC 等下游應(yīng)用和產(chǎn)品升級(jí)要求高端芯片在性能及功耗指標(biāo)上進(jìn)一步提升，目前仍有賴于半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點(diǎn)的持續(xù)縮小來(lái)實(shí)現(xiàn)。技術(shù)節(jié)點(diǎn)與晶體管溝道長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)，伴隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)縮小，IC 信息處理速度提升，單個(gè)晶體管尺寸減小實(shí)現(xiàn)功耗降低，以及集成度提升實(shí)現(xiàn)成本下降。

    全球純晶圓代工市場(chǎng)增長(zhǎng)平穩(wěn)，2017 年全球純晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)520 億美元，同比增速為6%。在智能手機(jī)市場(chǎng)增速放緩、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等新興終端應(yīng)用尚未放量背景下，當(dāng)前全球純晶圓代工市場(chǎng)的增量空間主要來(lái)自人工智能、加密貨幣等高性能計(jì)算應(yīng)用持續(xù)向最先進(jìn)制程遷移（當(dāng)前采用14nm 及以下節(jié)點(diǎn)）。2017 年14nm 及以下先進(jìn)制程市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)110 億美元，同比增長(zhǎng)42%；而28nm 及以上舊節(jié)點(diǎn)市場(chǎng)需求相對(duì)穩(wěn)定，市場(chǎng)規(guī)?；揪S持在410 億美元。

    鑒于10nm 已于2H17 開(kāi)始逐步放量，高端AP、加密貨幣等對(duì)10nm 需求旺盛，預(yù)計(jì)2018 年10nm 將繼續(xù)放量，加之7nm 于2H18 突破放量，產(chǎn)品遷移有望帶動(dòng)全球純晶圓代工市場(chǎng)增長(zhǎng)提速至9%。

2005-2021E全球純晶圓代工廠各制程市場(chǎng)規(guī)模及預(yù)測(cè)（單位：十億美元）

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    相關(guān)報(bào)告：智研咨詢網(wǎng)發(fā)布的《2018-2024年中國(guó)晶圓制造市場(chǎng)專項(xiàng)調(diào)研及投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告》

    二、中國(guó)晶圓制造行業(yè)現(xiàn)狀分析

    晶圓制造屬于技術(shù)及資本密集型行業(yè)，其最關(guān)鍵的技術(shù)為制造流程的精細(xì)化技術(shù)，為攻克最先進(jìn)制程需巨額資本開(kāi)支及研發(fā)投入。行業(yè)寡頭競(jìng)爭(zhēng)特征愈發(fā)明顯，2016 年全球前十大純晶圓代工企業(yè)聯(lián)合市場(chǎng)份額達(dá)94.2%。

    臺(tái)灣占據(jù)全球晶圓代工市場(chǎng)絕對(duì)主導(dǎo)地位。臺(tái)積電以58.3%的市占率獨(dú)占鰲頭，聯(lián)電以9.3%的市占率位居第三，力晶科技、世界先進(jìn)亦躋身前十， 四家市占率合計(jì)達(dá)71%。

    大陸占據(jù)全球純晶圓代工市場(chǎng)10%的份額，市場(chǎng)規(guī)模約50 億美元。中芯國(guó)際以5.7%的市占率位居全球第四位，占據(jù)大陸代工廠的絕對(duì)龍頭地位。華虹宏力營(yíng)收以1.6%的市占率位居全球第八位，華力微電子、華潤(rùn)、武漢新芯及上海先進(jìn)等中小型代工廠躋身前二十。

    各晶圓代工廠商市場(chǎng)位勢(shì)基本由其最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)所決定。根據(jù)其最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)劃分為三大陣營(yíng)，大陸晶圓代工廠仍位于二三線陣營(yíng)，中芯國(guó)際作為大陸先進(jìn)工藝標(biāo)桿在二線陣營(yíng)，華虹、武漢新芯、華潤(rùn)等在三線陣營(yíng)。臺(tái)積電壟斷地位穩(wěn)固，技術(shù)及規(guī)模優(yōu)勢(shì)明顯，而中芯、華虹等大陸晶圓代工廠戰(zhàn)略層面仍處于避免與臺(tái)積電正面競(jìng)爭(zhēng)的狀態(tài)，通過(guò)聚焦差異化市場(chǎng)、提供定制化服務(wù)以構(gòu)建自身位勢(shì)，把握現(xiàn)有制程市場(chǎng)機(jī)會(huì)。中芯在指紋識(shí)別、eNVM、電源管理、MCU 等細(xì)分領(lǐng)域具備較為深厚的產(chǎn)品及客戶基礎(chǔ)。而華虹的核心競(jìng)爭(zhēng)力則在于智能卡及IGBT、超級(jí)結(jié)等功率器件。

    1、一線陣營(yíng)：搶占先進(jìn)制程遷移紅利

    Intel、三星、臺(tái)積電、格羅方德四大一線陣營(yíng)廠商獲取增長(zhǎng)方式有二： 1）通過(guò)大規(guī)模研發(fā)及資本投入，跑在先進(jìn)制程競(jìng)賽前列，搶占產(chǎn)品向先進(jìn)制程遷移紅利，把握高性能計(jì)算（14nm 及以下制程）市場(chǎng)增長(zhǎng)，享受技術(shù)溢價(jià)；2）行業(yè)需求疲軟時(shí)，在舊節(jié)點(diǎn)市場(chǎng)降價(jià)搶單施加同業(yè)競(jìng)爭(zhēng)壓力，帶來(lái)后排廠商產(chǎn)能利用率、利潤(rùn)率下行風(fēng)險(xiǎn)。

    臺(tái)積電與三星均于2017Q1 實(shí)現(xiàn)10nm 的量產(chǎn)，Intel 預(yù)計(jì)于2018 年量產(chǎn)。格羅方德雖然當(dāng)前仍處于凈虧損狀態(tài)，在先進(jìn)制程投入上卻仍較為激進(jìn)， 于2015 年末量產(chǎn)14nm，并計(jì)劃跳過(guò)10nm 直接攻克7nm。

各晶圓制造商技術(shù)節(jié)點(diǎn)突破時(shí)間對(duì)比

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    2、二線陣營(yíng)：把握28nm 長(zhǎng)周期機(jī)遇

    最先進(jìn)制程停留或即將攻克28nm 這一長(zhǎng)周期節(jié)點(diǎn)的廠商歸入二線陣營(yíng)， 其在先進(jìn)制程投入方面相對(duì)保守。二線廠商短時(shí)間不能把握HPC 高性能計(jì)算市場(chǎng)，獲取增長(zhǎng)的方式有二：1）在攻克自身最新節(jié)點(diǎn)后，以較同業(yè)更低的價(jià)格來(lái)爭(zhēng)取訂單，但會(huì)拖累利潤(rùn)率；2）在現(xiàn)有制程領(lǐng)域，打造自身特色工藝平臺(tái)來(lái)增強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，緩解同業(yè)降價(jià)壓力，拉動(dòng)利潤(rùn)率。

    基于先進(jìn)制程供給及需求的考量，28nm 為目前單位邏輯閘成本最小的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，長(zhǎng)周期制程屬性明顯，預(yù)計(jì)大多數(shù)產(chǎn)品將逐步向更先進(jìn)制程遷移， 達(dá)致28nm 后因其更高性價(jià)比及廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⑼Ａ糨^長(zhǎng)時(shí)間。二線廠商攻克28nm 后，已足以滿足絕大多數(shù)半導(dǎo)體產(chǎn)品的制程需求，通過(guò)把握現(xiàn)有制程市場(chǎng)推出特色工藝平臺(tái)提升競(jìng)爭(zhēng)力，仍可享受平穩(wěn)增長(zhǎng)。

對(duì)于晶圓制造，28nm為單位邏輯閘成本最小技術(shù)節(jié)點(diǎn)

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2025年28nm制程預(yù)計(jì)仍會(huì)是市場(chǎng)最大宗（單位：十億美元）

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2017H1大陸晶圓代工銷售份額分布

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    結(jié)合各晶圓代工廠中國(guó)區(qū)營(yíng)收及晶圓ASP，預(yù)計(jì)2017H1 大陸市場(chǎng)晶圓代工出貨量合計(jì)約4400K?？紤]到大陸廠商ASP 相對(duì)更低，市場(chǎng)出貨份額進(jìn)一步向大陸廠商集中達(dá)67%。分廠商而言，臺(tái)積電占據(jù)大陸市場(chǎng)最大出貨，但份額收窄至28%。中芯國(guó)際以22%的份額緊隨其后，華虹則以11% 的市占率躋身前三。

2017H1大陸晶圓代工出貨份額分布

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    三、中國(guó)晶圓制造行業(yè)發(fā)展趨勢(shì)分析

    大陸IC 設(shè)計(jì)市場(chǎng)增長(zhǎng)遠(yuǎn)高于全球，下游廣袤市場(chǎng)吸引國(guó)內(nèi)外廠商紛紛在大陸增設(shè)晶圓產(chǎn)能，搶食高速增長(zhǎng)的大陸市場(chǎng)份額。當(dāng)前中國(guó)大陸12 寸及8 寸現(xiàn)有晶圓產(chǎn)線合計(jì)36 條（包括現(xiàn)有產(chǎn)線20 條，在建及計(jì)劃16 條）， 其中超過(guò)50%的晶圓產(chǎn)線（包括現(xiàn)有12 條，在建及計(jì)劃8 條）均集中在存儲(chǔ)器或IDM 業(yè)務(wù)（包括：三星、英特爾、SK 海力士三大國(guó)際IDM 廠商在大陸的晶圓產(chǎn)線，和大陸長(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成、士蘭微等企業(yè)的晶圓產(chǎn)線）， 與純晶圓代工業(yè)務(wù)重合度較小。

    外資晶圓代工廠產(chǎn)能擴(kuò)張均較為平穩(wěn)；2021 年大陸12 寸晶圓代工廠產(chǎn)能將達(dá)457K/m，2016-2021 年間復(fù)合增速達(dá)24%，在內(nèi)資及外資晶圓廠的共同推動(dòng)下預(yù)計(jì)將進(jìn)入快速擴(kuò)張狀態(tài)。

2016-2021年間大陸8寸內(nèi)資晶圓廠及外資晶圓廠產(chǎn)能復(fù)合增速預(yù)測(cè)

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2016-2021年間大陸12寸內(nèi)資晶圓廠及外資晶圓產(chǎn)能復(fù)合增速預(yù)測(cè)

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    大陸晶圓廠30 億美元單筆投資額限制，現(xiàn)有或在建大陸12 寸晶圓廠計(jì)劃產(chǎn)能僅為20K，產(chǎn)能規(guī)模優(yōu)勢(shì)尚不能彰顯。據(jù)預(yù)測(cè)，外資12 寸晶圓廠雖擴(kuò)張更為迅速，但2021 年12 寸產(chǎn)能占比仍僅為21%，對(duì)大陸晶圓代工業(yè)產(chǎn)能沖擊影響有限。

    從制程角度看，臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電三大國(guó)際領(lǐng)先廠商在大陸布局重點(diǎn)均在28nm 及以下制程。聯(lián)電已在廈門(mén)廠引入28nm 產(chǎn)線；臺(tái)積電、格羅方德均在大陸建設(shè)12 寸晶圓廠，陸續(xù)引入16nm FinFET 及22nm FD-SOI 制程。外資晶圓廠在華擴(kuò)產(chǎn)或在先進(jìn)制程領(lǐng)域給大陸廠商施加競(jìng)爭(zhēng)壓力，倒逼其完善28nm 產(chǎn)品組合并加速攻克14nm。然而大陸晶圓代工廠當(dāng)前營(yíng)收貢獻(xiàn)基本來(lái)自28nm 以上的成熟節(jié)點(diǎn)，外資晶圓廠28nm 及以下先進(jìn)節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能釋放對(duì)大陸代工業(yè)現(xiàn)有制程業(yè)務(wù)影響較小。

    鑒于下游IC 設(shè)計(jì)業(yè)快速成長(zhǎng)帶來(lái)晶圓代工剛需，大陸代工廠產(chǎn)能規(guī)模及本地化優(yōu)勢(shì)依舊穩(wěn)固，大陸晶圓代工廠通過(guò)把握現(xiàn)有制程市場(chǎng)仍能實(shí)現(xiàn)快速成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)未來(lái)三年大陸晶圓代工業(yè)復(fù)合增速在15%以上。

    1、下游應(yīng)用：聚焦消費(fèi)電子市場(chǎng)，與自身客戶需求匹配

    全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下游應(yīng)用市場(chǎng)中，2015 年通訊、計(jì)算機(jī)電子應(yīng)用占比分別為34%、30%，消費(fèi)電子應(yīng)用以13%的份額位居第三。

    臺(tái)積電核心應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橥ㄓ?，占比高達(dá)59%；其次為工業(yè)，占比約23%， 而消費(fèi)僅占8%。

    大陸廠商則更加聚焦于消費(fèi)電子領(lǐng)域，這與大陸晶圓廠自身的技術(shù)能力、市場(chǎng)位勢(shì)及客戶需求相匹配。消費(fèi)電子應(yīng)用主要包括智能卡、電視、機(jī)頂盒、IoT 等，盡管其所需制程技術(shù)相對(duì)低端，目前仍主要停留在微米級(jí)別，但消費(fèi)電子市場(chǎng)仍需求巨大。中國(guó)IC 設(shè)計(jì)公司通過(guò)聚焦于該領(lǐng)域而獲得較快成長(zhǎng)，且目前已占據(jù)較高市場(chǎng)份額。基于中國(guó)客戶營(yíng)收占據(jù)大陸晶圓廠總營(yíng)收的半壁江山，中芯及華虹來(lái)自消費(fèi)電子的營(yíng)收占比較大（2017 年中芯、華虹來(lái)自消費(fèi)電子的營(yíng)收占比分別達(dá)37%、69%）。

2017年四家公司營(yíng)收結(jié)構(gòu)按應(yīng)用分

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    2、晶圓價(jià)格走勢(shì)分析

    先進(jìn)制程與落后制程的單片邏輯晶圓價(jià)格相差甚大，制程結(jié)構(gòu)差異直接導(dǎo)致廠商間ASP 差距明顯。鑒于先進(jìn)產(chǎn)能的稀缺性，搶先量產(chǎn)者可因此獲得蘋(píng)果、高通等頂級(jí)客戶的高端訂單，且在價(jià)格談判上掌握一定的主動(dòng)權(quán)， 臺(tái)積電便是借此實(shí)現(xiàn)每個(gè)制程階段的ASP 爬升。

    2011-2017年間，臺(tái)積電憑借持續(xù)的制程領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)及更高端的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)， 晶圓綜合ASP 逐漸由2011 年的1057 美元攀升至2017 年的1309 美元。

2014Q2晶圓代工廠先進(jìn)制程與落后制程的單片邏輯晶圓價(jià)格相差甚大（單位：美元）

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    3、營(yíng)收高成長(zhǎng)性明確，盈利質(zhì)量仍待提升

    國(guó)家政策推動(dòng)人才、資金等生產(chǎn)資源加速向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集中，引導(dǎo)產(chǎn)能建設(shè)及研發(fā)進(jìn)程加快，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)通過(guò)技術(shù)積累及早布局，具備能力把握潛在需求換代機(jī)遇，預(yù)計(jì)將成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第三次遷移地。大陸晶圓代工廠技術(shù)相對(duì)滯后，最先進(jìn)節(jié)點(diǎn)為28nm，較國(guó)際龍頭臺(tái)積電有兩代技術(shù)差距， 但已具備能力滿足絕大多數(shù)客戶需求。鑒于下游IC 設(shè)計(jì)業(yè)快速成長(zhǎng)帶來(lái)晶圓代工剛需，大陸代工廠產(chǎn)能規(guī)模及本地化優(yōu)勢(shì)依舊穩(wěn)固，大陸晶圓代工廠通過(guò)把握現(xiàn)有制程市場(chǎng)仍能實(shí)現(xiàn)快速成長(zhǎng)，預(yù)計(jì)未來(lái)三年大陸晶圓代工業(yè)復(fù)合增速在15%以上。

    由于晶圓制造業(yè)的高技術(shù)壁壘，臺(tái)積電絕對(duì)龍頭地位短期難以撼動(dòng)，而大陸若想實(shí)現(xiàn)突圍，在市場(chǎng)、政策及資金支持之外，仍須實(shí)現(xiàn)自主技術(shù)研發(fā)力量的增強(qiáng)。大陸先進(jìn)工藝標(biāo)桿中芯在戰(zhàn)略層面仍處于避免與臺(tái)積電正面競(jìng)晶圓代工及封測(cè)環(huán)節(jié)及其支撐產(chǎn)業(yè)鏈估值水平相對(duì)偏低。晶圓代工（剔除中芯國(guó)際）及封測(cè)環(huán)節(jié)2018 年平均PE 各為16x / 19 x，由于其重資產(chǎn)屬性PB 分別為2.1x / 2.0x。支撐產(chǎn)業(yè)鏈中，材料環(huán)節(jié)2018 年平均PE 為17x， PB 為2.3x；設(shè)備環(huán)節(jié)2018 年平均PE 則為19x，PB 為4.0x。而IDM 廠商因其體量較大估值最低，2018 年平均PE 為10x，PB 為1.6x。