半導(dǎo)體光刻膠種類非常繁多,目前市場上已得到實(shí)際應(yīng)用的主要半導(dǎo)體光刻膠,從曝光波長來分,可分為g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)和ArF(193nm)等4個(gè)種類。目前分辨率最高的半導(dǎo)體光刻膠為ArF光刻膠。
半導(dǎo)體光刻膠分類
光刻膠種類 | 對應(yīng)曝光波長 | 對應(yīng)IC制程技術(shù)節(jié)點(diǎn) | 注釋 |
g線光刻膠 | 436nm | 0.5µm以上 | 正性膠為主,主要原料為酚醛樹脂和重氮萘醌化合物 |
i線光刻膠 | 365nm | 0.5~0.35µm | |
KrF光刻膠 | 248nm | 0.25~0.15µm | 正性膠和負(fù)性膠都有,主要原料為聚對羥基苯乙烯及其衍生物和光致產(chǎn)酸劑 |
ArF(干法) | 193nm | 65~130nm | 正性膠,主要原料是聚脂環(huán)族丙烯酸酯及其共聚物和光致產(chǎn)酸劑 |
ArF(浸濕法) | 45nm以下 |
數(shù)據(jù)來源:公開資料整理
g線和i線光刻膠是目前市場上使用量最大的光刻膠,但g線和i線光刻膠對應(yīng)的IC制程節(jié)點(diǎn)較為早期。隨著未來功率半導(dǎo)、傳感器、LED市場的持續(xù)擴(kuò)大,i線光刻膠市場將保持持續(xù)增長。隨著精細(xì)化需求的增加,未來一些使用i線光刻膠的應(yīng)用將切換成KrF光刻膠,推動(dòng)KrF光刻膠市場的增長。ArF光刻膠對應(yīng)IC制程節(jié)點(diǎn)最為先進(jìn),在7nm制程的EUV技術(shù)成熟之前,ArF光刻膠仍將是主流,且隨著雙/多重曝光技術(shù)的使用,光刻膠的使用次數(shù)增加,ArF光刻膠的市場將快速成長。
全球光刻膠的市場份額
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半導(dǎo)體光刻膠配方比較穩(wěn)定,其專用化學(xué)品的市場規(guī)模與半導(dǎo)體光刻膠的市場規(guī)?;颈3滞壤儎?dòng)。2017年半導(dǎo)體光刻膠需求量較2016年增長7~8%,達(dá)到12億美元的市場規(guī)模。隨著下游應(yīng)用功率半導(dǎo)體、傳感器、存儲(chǔ)器等需求擴(kuò)大,未來光刻膠市場將持續(xù)擴(kuò)大。
全球半導(dǎo)體光刻膠市場規(guī)模
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