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2018年中國半導(dǎo)體IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)產(chǎn)量、銷量及格局發(fā)展趨勢分析[圖]

    IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)屬于功率半導(dǎo)體的一種,憑借驅(qū)動(dòng)功率低、飽和壓降低等優(yōu)異性質(zhì),IGBT逐漸成為主流高端功率半導(dǎo)體之一,下游廣泛應(yīng)用于低電壓等級的消費(fèi)電子,中電壓等級的新能源,高電壓等級的電動(dòng)車、電網(wǎng)、軌交等領(lǐng)域。

    由于下游應(yīng)用較廣泛,據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)預(yù)測,未來幾年全球IGBT市場空間整體保持5%左右增速,到2020年全球IGBT單管市場空間達(dá)到60億美元左右。隨著下游產(chǎn)業(yè)向中國的轉(zhuǎn)移,中國目前已經(jīng)成為全球最大的IGBT需求市場,預(yù)計(jì)中國IGBT市場空間占到全球空間的40%-50%。同時(shí),受益于部分下游新興應(yīng)用領(lǐng)域的崛起(如電動(dòng)車、新能源等),預(yù)計(jì)未來國內(nèi)IGBT市場將保持10%左右增長。

    但由于IGBT隸屬于半導(dǎo)體范疇,受制于國內(nèi)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)、產(chǎn)業(yè)積累較為薄弱,目前國內(nèi)主要的中高端IGBT市場主要由外資品牌占據(jù)。隨著半導(dǎo)體進(jìn)口替代進(jìn)程的推進(jìn),自主品牌IGBT正快速發(fā)展并且在部分領(lǐng)域取得突破,例如株洲中車時(shí)代電氣在高鐵動(dòng)力IGBT方面和比亞迪在汽車級IGBT方面均獲得一定成功。

2016-2022年全球IGBT市場規(guī)模及預(yù)測

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2010-2018年我國IGBT產(chǎn)品產(chǎn)銷量統(tǒng)計(jì)圖

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國內(nèi)IGBT市場基本被外資品牌壟斷

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    中國功率半導(dǎo)體市場占世界功率半導(dǎo)體市場份額的50%以上,但在中高端MOSFET及IGBT器件中,90%依賴于進(jìn)口。
按電壓分布來看,消費(fèi)電子領(lǐng)域運(yùn)用的IGBT產(chǎn)品主要在600V以下,如數(shù)碼相機(jī)閃光燈等。1200V以上的IGBT多用于電力設(shè)備、汽車電子、高鐵及動(dòng)車中。動(dòng)車組常用的IGBT模塊為3300V和6500V。智能電網(wǎng)使用的IGBT通常為3300V。

    目前我國IGBT優(yōu)秀企業(yè)不多,南車時(shí)代、比亞迪等均主要為自己的高鐵和新能源汽車做配套,華微電子屬于國內(nèi)在消費(fèi)類IGBT市場的龍頭企業(yè),此前主要產(chǎn)品是第四代產(chǎn)品,和國際龍頭差距較大,公司非常重視也極為看好戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展給功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來的廣闊空間,因此公司進(jìn)一步加大新技術(shù)、新產(chǎn)品的研發(fā)投入,研發(fā)投入達(dá)到營業(yè)收入的6%以上,研發(fā)的重心以符合國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求的第四代、第六代IGBT產(chǎn)品、COOLMOS產(chǎn)品以及TRENCHSBD等為主,力求實(shí)現(xiàn)高端功率半導(dǎo)體核心技術(shù)快速突破。目前新技術(shù)產(chǎn)品已陸續(xù)應(yīng)用于市場,隨著公司新技術(shù)、新產(chǎn)品的系列化,將真正實(shí)現(xiàn)國內(nèi)自主技術(shù)在中高端市場的規(guī)模化應(yīng)用,有效加快公司的客戶、市場結(jié)構(gòu)調(diào)整步伐,進(jìn)而提升公司整體運(yùn)營質(zhì)量,實(shí)現(xiàn)公司經(jīng)營業(yè)績的提高。

    目前中國IGBT行業(yè)中高端技術(shù)已有突破,初步形成從芯片設(shè)計(jì)到芯片封裝的產(chǎn)業(yè)鏈,較強(qiáng)的成本優(yōu)勢將是中國本土企業(yè)與國外公司競爭的有力手段。伴隨著未來幾年IGBT市場的高速增長,國產(chǎn)化進(jìn)程的啟動(dòng)將會(huì)使產(chǎn)業(yè)鏈覆蓋的公司受惠。

    我國IGBT行業(yè)發(fā)展至今,已取得較大進(jìn)展,雖然仍需大量進(jìn)口,但已有一部分企業(yè)具備規(guī)?;a(chǎn)能力。2010年我國IGBT功率電器模塊產(chǎn)量為190萬只,2018年增長至1115萬只。

2010-2018年中國IGBT行業(yè)產(chǎn)量

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    在新能源、節(jié)能環(huán)保“十二五”規(guī)劃等一系列國家政策措施的支持下,國內(nèi)IGBT的發(fā)展獲得巨大的推動(dòng)力,市場持續(xù)快速增長。“十三五“期間,國內(nèi)IGBT國產(chǎn)化加速,IGBT需求迅猛發(fā)展,到2018年,國內(nèi)IGBT市場規(guī)模達(dá)161.9億元。

2010-2018年我國IGBT市場規(guī)模發(fā)展趨勢

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    相關(guān)報(bào)告:智研咨詢發(fā)布的《2019-2025年中國IGBT行業(yè)市場專項(xiàng)調(diào)研及投資前景預(yù)測報(bào)告

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2025-2031年中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)市場全景評估及投資前景研判報(bào)告
2025-2031年中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)市場全景評估及投資前景研判報(bào)告

《2025-2031年中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)市場全景評估及投資前景研判報(bào)告》共九章,包含全球及中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝企業(yè)案例解析,中國半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)政策環(huán)境及發(fā)展?jié)摿?,中國半?dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)投資策略及規(guī)劃建議等內(nèi)容。

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