2026-2032年中國(guó)碳化硅器件行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀分析及發(fā)展趨向研判報(bào)告

報(bào)告導(dǎo)讀：

碳化硅器件是采用碳化硅材料制造的一種寬禁帶電力電子器件，產(chǎn)品主要包括SiC二級(jí)管、SiC MOSFET、全SiC模塊（SiC二級(jí)管和SiC MOSFET構(gòu)成）、SiC混合模塊（SiC二級(jí)管和SiC IGBT構(gòu)成）等。碳化硅器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求，在新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì)。近年來(lái)，隨著碳化硅器件在新能源汽車(chē)、充電樁、光伏新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用需求快速增長(zhǎng)，全球碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)出增長(zhǎng)趨勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示，全球碳化硅器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模從2019年的5.8億美元增長(zhǎng)至2024年的26.23億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為35.23%。未來(lái)，隨著技術(shù)持續(xù)突破和制造成本逐步下降，碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒌玫竭M(jìn)一步拓展，市場(chǎng)空間將持續(xù)擴(kuò)大。數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)碳化硅器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模從2020年的3億元增長(zhǎng)至2024年的19億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為58.64%。預(yù)計(jì)2025年中國(guó)碳化硅器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至27億元。從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，碳化硅晶片制造工藝難度大，研發(fā)時(shí)間長(zhǎng)，存在較高的技術(shù)門(mén)檻和人才門(mén)檻。當(dāng)前全球碳化硅器件市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭主導(dǎo)格局，核心技術(shù)仍由海外企業(yè)掌控。意法半導(dǎo)體憑借與特斯拉等整車(chē)廠的深度綁定占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)，英飛凌在車(chē)規(guī)級(jí)模塊技術(shù)與量產(chǎn)能力上保持領(lǐng)先，科銳（Wolfspeed）以其襯底材料技術(shù)和8英寸晶片布局構(gòu)建了核心壁壘，羅姆半導(dǎo)體則在消費(fèi)電子與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域建立了完整產(chǎn)品矩陣。當(dāng)前中國(guó)碳化硅器件市場(chǎng)仍由國(guó)際廠商主導(dǎo)，約九成市場(chǎng)份額被海外企業(yè)占據(jù)。面對(duì)這一競(jìng)爭(zhēng)格局，國(guó)內(nèi)企業(yè)正積極布局突破，以士蘭微、華潤(rùn)微、三安光電等為代表的廠商在材料端加速技術(shù)攻關(guān)，而斯達(dá)半導(dǎo)、揚(yáng)杰科技、泰科天潤(rùn)等企業(yè)則在功率器件與模塊領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力。隨著產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同推進(jìn)，國(guó)內(nèi)碳化硅器件企業(yè)在襯底制備、芯片設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域不斷取得突破，市場(chǎng)占有率呈現(xiàn)快速提升態(tài)勢(shì)，正在逐步改變完全依賴進(jìn)口的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展?jié)摿Α?

基于此，依托智研咨詢旗下碳化硅器件行業(yè)研究團(tuán)隊(duì)深厚的市場(chǎng)洞察力，并結(jié)合多年調(diào)研數(shù)據(jù)與一線實(shí)戰(zhàn)需求，智研咨詢推出《2026-2032年中國(guó)碳化硅器件行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀分析及發(fā)展趨向研判報(bào)告》。本報(bào)告立足碳化硅器件新視角，聚焦行業(yè)核心議題——變化趨勢(shì)（怎么變）、用戶需求（要什么）、投放選擇（投向哪）、運(yùn)營(yíng)方法（如何投）及實(shí)踐案例（看一看），期待攜手行業(yè)伙伴，共謀行業(yè)發(fā)展新格局、新機(jī)遇，推動(dòng)碳化硅器件行業(yè)發(fā)展。

觀點(diǎn)搶先知：

相關(guān)概述：碳化硅器件是采用碳化硅材料制造的一種寬禁帶電力電子器件，產(chǎn)品主要包括SiC二級(jí)管、SiC MOSFET、全SiC模塊（SiC二級(jí)管和SiC MOSFET構(gòu)成）、SiC混合模塊（SiC二級(jí)管和SiC IGBT構(gòu)成）等。碳化硅器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和輕量化要求，在新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì)。

相關(guān)政策：近年來(lái)，中國(guó)碳化硅器件行業(yè)受到各級(jí)政府的高度重視和國(guó)家產(chǎn)業(yè)政策的重點(diǎn)支持。國(guó)家陸續(xù)出臺(tái)了多項(xiàng)政策，鼓勵(lì)碳化硅器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展與創(chuàng)新。例如，2024年3月，河南省人民政府辦公廳印發(fā)《河南省加快制造業(yè)“六新”突破實(shí)施方案》，加快布局發(fā)展氮化鎵、碳化硅、磷化銦等半導(dǎo)體材料，開(kāi)發(fā)Micro—LED（微米發(fā)光二極管）、OLED（有機(jī)發(fā)光二極管）用新型發(fā)光材料，薄膜電容、聚合物鋁電解電容等新型電子元器件材料，電子級(jí)高純?cè)噭┖桶胁?、封裝用鍵合線、電子級(jí)保護(hù)及結(jié)構(gòu)膠水等工藝輔助及封裝材料。2025年8月，工業(yè)和信息化部、市場(chǎng)監(jiān)督管理總局印發(fā)《電子信息制造業(yè)2025-2026年穩(wěn)增長(zhǎng)行動(dòng)方案》，持續(xù)推進(jìn)半導(dǎo)體、光伏、鋰電池、超高清視頻、時(shí)空信息、新型顯示等領(lǐng)域與有關(guān)國(guó)家地區(qū)間常態(tài)化交流合作機(jī)制。

產(chǎn)業(yè)鏈核心節(jié)點(diǎn)：碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈上游為原材料和零部件，主要包括碳化硅襯底、外延材料等。產(chǎn)業(yè)鏈中游為碳化硅器件的生產(chǎn)制造環(huán)節(jié)。產(chǎn)業(yè)鏈下游為碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域，包括新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等。

全球市場(chǎng)規(guī)模：碳化硅作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中居于前沿基礎(chǔ)地位。碳化硅器件是以碳化硅為基底制造的功率半導(dǎo)體元件，在電子電路中承擔(dān)著信號(hào)放大、電路整流和電壓穩(wěn)定等關(guān)鍵功能。其特有的寬禁帶特性賦予器件優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性、高壓耐受性和高頻工作能力，在實(shí)際應(yīng)用中較傳統(tǒng)硅基器件可降低能量損耗達(dá)30%以上，有助于推動(dòng)新能源革命與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。近年來(lái)，隨著碳化硅器件在新能源汽車(chē)、充電樁、光伏新能源等領(lǐng)域的應(yīng)用需求快速增長(zhǎng)，全球碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)出增長(zhǎng)趨勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示，全球碳化硅器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模從2019年的5.8億美元增長(zhǎng)至2024年的26.23億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為35.23%。未來(lái)，隨著技術(shù)持續(xù)突破和制造成本逐步下降，碳化硅器件的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒌玫竭M(jìn)一步拓展，市場(chǎng)空間將持續(xù)擴(kuò)大。

中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模：全球能源革命與數(shù)字化轉(zhuǎn)型的浪潮中，碳化硅器件作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，正以其獨(dú)特的物理特性——高耐壓、高導(dǎo)熱、低損耗，重塑功率電子產(chǎn)業(yè)格局。從新能源汽車(chē)的電機(jī)控制器到5G基站的信號(hào)放大器，從光伏逆變器的能量轉(zhuǎn)換到軌道交通的牽引系統(tǒng)，碳化硅器件正成為推動(dòng)多領(lǐng)域技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵力量。技術(shù)突破是推動(dòng)碳化硅器件市場(chǎng)普及的關(guān)鍵因素。近年來(lái)，國(guó)內(nèi)企業(yè)在襯底、外延、器件制造等關(guān)鍵環(huán)節(jié)取得了顯著進(jìn)展。襯底環(huán)節(jié)：天科合達(dá)采用物理氣相傳輸法（PVT）將8英寸晶體生長(zhǎng)周期從200小時(shí)壓縮至150小時(shí)，良率提升至40%。三安光電通過(guò)摻雜氮化鋁緩沖層，將微管密度降至0.5/cm2，達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平。外延環(huán)節(jié)：深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在GaN/SiC集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，在國(guó)際上首次研制了商用8英寸4傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術(shù)瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)展及其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程奠定基礎(chǔ)。器件制造：MOSFET占比高，成為主流產(chǎn)品。比亞迪半導(dǎo)體、華潤(rùn)微等企業(yè)通過(guò)垂直整合快速崛起，產(chǎn)品性能接近國(guó)際先進(jìn)水平。宏微科技1200V SiC MOSFET及SBD芯片實(shí)現(xiàn)小批量出貨；斯達(dá)半導(dǎo)體應(yīng)用于光伏逆變器、儲(chǔ)能等下游行業(yè)的多個(gè)封裝系列的新一代750V、1200V SiC MOSFET分立器件（單管）產(chǎn)品開(kāi)始批量交付。在技術(shù)突破與產(chǎn)業(yè)應(yīng)用的共同推動(dòng)下，中國(guó)碳化硅器件市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)逐年增長(zhǎng)的態(tài)勢(shì)。數(shù)據(jù)顯示，中國(guó)碳化硅器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模從2020年的3億元增長(zhǎng)至2024年的19億元，年復(fù)合增長(zhǎng)率為58.64%。預(yù)計(jì)2025年中國(guó)碳化硅器件行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至27億元。

企業(yè)格局：從市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，碳化硅晶片制造工藝難度大，研發(fā)時(shí)間長(zhǎng)，存在較高的技術(shù)門(mén)檻和人才門(mén)檻。當(dāng)前全球碳化硅器件市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭主導(dǎo)格局，核心技術(shù)仍由海外企業(yè)掌控。意法半導(dǎo)體憑借與特斯拉等整車(chē)廠的深度綁定占據(jù)先發(fā)優(yōu)勢(shì)，英飛凌在車(chē)規(guī)級(jí)模塊技術(shù)與量產(chǎn)能力上保持領(lǐng)先，科銳（Wolfspeed）以其襯底材料技術(shù)和8英寸晶片布局構(gòu)建了核心壁壘，羅姆半導(dǎo)體則在消費(fèi)電子與工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域建立了完整產(chǎn)品矩陣。當(dāng)前中國(guó)碳化硅器件市場(chǎng)仍由國(guó)際廠商主導(dǎo)，約九成市場(chǎng)份額被海外企業(yè)占據(jù)。面對(duì)這一競(jìng)爭(zhēng)格局，國(guó)內(nèi)企業(yè)正積極布局突破，以士蘭微、華潤(rùn)微、三安光電等為代表的廠商在材料端加速技術(shù)攻關(guān)，而斯達(dá)半導(dǎo)、揚(yáng)杰科技、泰科天潤(rùn)等企業(yè)則在功率器件與模塊領(lǐng)域持續(xù)發(fā)力。隨著產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)的協(xié)同推進(jìn)，國(guó)內(nèi)碳化硅器件企業(yè)在襯底制備、芯片設(shè)計(jì)等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域不斷取得突破，市場(chǎng)占有率呈現(xiàn)快速提升態(tài)勢(shì)，正在逐步改變完全依賴進(jìn)口的產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的發(fā)展?jié)摿Α?

市場(chǎng)趨勢(shì)：（1）中國(guó)碳化硅器件行業(yè)將通過(guò)持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品性能快速迭代。隨著襯底生長(zhǎng)工藝的優(yōu)化和器件結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新，國(guó)產(chǎn)碳化硅芯片的比導(dǎo)通電阻將顯著降低，開(kāi)關(guān)速度與功率密度實(shí)現(xiàn)突破性提升；（2）車(chē)規(guī)級(jí)認(rèn)證體系的完善將推動(dòng)碳化硅器件可靠性全面提升。通過(guò)建立嚴(yán)格的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和質(zhì)量控制流程，器件壽命與穩(wěn)定性將邁上新臺(tái)階；（3）應(yīng)用場(chǎng)景的多元化將促進(jìn)全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同發(fā)展。除新能源汽車(chē)外，碳化硅器件將在智能電網(wǎng)、工業(yè)電機(jī)、軌道交通等領(lǐng)域加速滲透。

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