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2018年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模、競(jìng)爭(zhēng)格局、行業(yè)需求設(shè)備及2019年發(fā)展趨勢(shì)分析【圖】

    半導(dǎo)體,指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。

    目前,中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍處于初級(jí)發(fā)展階段,發(fā)展程度低于國(guó)際先進(jìn)水平。在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的大規(guī)模引進(jìn)、消化、吸收以及產(chǎn)業(yè)的重點(diǎn)建設(shè),中國(guó)已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)最大的市場(chǎng)。數(shù)據(jù)顯示,2017年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)實(shí)際銷售額為7200.8億元,同比增長(zhǎng)13.7%。預(yù)計(jì)2018年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額將進(jìn)一步增長(zhǎng),達(dá)到8295.3億元,增長(zhǎng)率為12.9%。

2014-2018年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額及增長(zhǎng)走勢(shì)
2014-2018年中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)銷售額及增長(zhǎng)走勢(shì)

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    相關(guān)報(bào)告:智研咨詢網(wǎng)發(fā)布的《2019-2025年中國(guó)集成電路行業(yè)市場(chǎng)監(jiān)測(cè)及未來(lái)前景預(yù)測(cè)報(bào)告

    隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,應(yīng)用場(chǎng)景不斷擴(kuò)展,嵌入到從汽車等各類產(chǎn)品中,同時(shí)伴隨著人工智能、虛擬現(xiàn)實(shí)和物聯(lián)網(wǎng)等新興技術(shù)的出現(xiàn),半導(dǎo)體的市場(chǎng)需求不斷擴(kuò)大。數(shù)據(jù)顯示,2017年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為16860億元,同比增長(zhǎng)11.4%。伴隨著中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝等產(chǎn)業(yè)在國(guó)家政策支持下持續(xù)增長(zhǎng),預(yù)計(jì)2018年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到18951億元,增長(zhǎng)率為12.4%。

2013-2018年中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率

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    一、光刻膠行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

    光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì),其中曝光是通過紫外光、電子束、準(zhǔn)分子激光束、X射線、離子束等曝光源的照射或輻射,從而使光刻膠的溶解度發(fā)生變化。

    按照應(yīng)用領(lǐng)域分類,光刻膠主要包括印制電路板(PCB)光刻膠專用化學(xué)品(光引發(fā)劑和樹脂)、液晶顯示器(LCD)光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。

    光刻膠自1959年被發(fā)明以來(lái)一直是半導(dǎo)體核心材料,隨后被改進(jìn)運(yùn)用到PCB板的制造,并于20世紀(jì)90年代運(yùn)用到平板顯示的加工制造。最終應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、家用電器、汽車通訊等。

    光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%,耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%,是半導(dǎo)體制造中最核心的工藝。

    以半導(dǎo)體光刻膠為例,在光刻工藝中,光刻膠被均勻涂布在襯底上,經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝,將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上,形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。

    光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對(duì)密度和集成度水平的更高要求,半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長(zhǎng)以提高極限分辨率,世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級(jí)別,光刻膠的波長(zhǎng)由紫外寬譜逐步至g線(436nm)、i線(365nm)、KrF(248nm)、 ArF(193nm)、F2(157nm),以及最先進(jìn)的EUV(<13.5nm)線水平。

    目前,半導(dǎo)體市場(chǎng)上主要使用的光刻膠包括 g 線、i 線、KrF、ArF四類光刻膠,其中,g線和i線光刻膠是市場(chǎng)上使用量最大的。

    1、全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模及市場(chǎng)格局分析

    光刻膠行業(yè)進(jìn)入壁壘較高,初期投入較大。光刻膠研發(fā)難度較大,不同的客戶會(huì)有不同的應(yīng)用需求,同一個(gè)客戶也有不同的光刻應(yīng)用需求,不同的光刻過程對(duì)光刻膠的具體要求也不一樣,即使類似的光刻過程,不同的廠商也會(huì)有不同的要求。針對(duì)以上不同的應(yīng)用需求,光刻膠的品種非常多,對(duì)廠商的配方研發(fā)能力提出較高要求。同時(shí),行業(yè)資金壁壘較高,光刻膠的研發(fā)需要使用光刻機(jī),以 ASML 為例, EUV 光刻機(jī)常年保持在 1 億歐元左右, 248nm的 KrF 光刻機(jī)也基本維持在一千萬(wàn)歐元以上。光刻膠市場(chǎng)呈現(xiàn)寡頭壟斷格局。新材料在線數(shù)據(jù)顯示,前 5 大廠商占據(jù)了全球光刻膠市場(chǎng) 87%的份額,行業(yè)集中度較高。市占率由高到低分別是:日本 JSR(28%)、東京應(yīng)化(21%)、羅門哈斯(15%)、日本信越(13%)以及富士電子材料(10%)。

光刻膠市場(chǎng)格局

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    2015 年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到 73億美元,2010至 2015年市場(chǎng)規(guī)模 CAGR約為 5.8%,預(yù)計(jì) 2019 年市場(chǎng)規(guī)模將接近 90 億美元, 2020 年,市場(chǎng)規(guī)模將突破 100 億美元。

全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模

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    2、PCB 光刻膠市場(chǎng)及國(guó)產(chǎn)份額持續(xù)增長(zhǎng)

    2015 年全球 PCB 光刻膠市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 18 億美元,從地域結(jié)構(gòu)來(lái)看,隨著外資企業(yè)將產(chǎn)能遷至中國(guó),中國(guó) PCB 光刻膠產(chǎn)值占全球比重約 70%,達(dá) 12.6億美金。另外,隨著國(guó)內(nèi)供應(yīng)商逐步掌握了 PCB 油墨關(guān)鍵原材料合成樹脂的合成技術(shù),改變了過去對(duì)進(jìn)口合成樹脂的依賴,有效降低了產(chǎn)品成本,形成較為明顯的價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。目前,外國(guó)獨(dú)資企業(yè)約占我國(guó) PCB 油墨市場(chǎng)的 36%,中外合資企業(yè)約占 18%,本土企業(yè)約占 46%。

    雖然面板出貨量有所下滑,但隨著全球高世代線陸續(xù)投產(chǎn),面板出貨面積有所增長(zhǎng),對(duì)上游面板光刻膠需求穩(wěn)定增長(zhǎng),全球 2016 年面板光刻膠市場(chǎng)規(guī)模突破 20 億美元,預(yù)計(jì) 2020 年將達(dá)到 23.7 億美元,復(fù)合增速約為 4%

全球面板光刻膠市場(chǎng)規(guī)模

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    2017年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)總銷售額達(dá)到566億美元,相較于2016年的412億美元,同比增長(zhǎng)了37%。2018年有望達(dá)到超過600億美元的規(guī)模,符合增長(zhǎng)率7.7%。全球半導(dǎo)體設(shè)備投資額呈上升趨勢(shì);

    2016年,中國(guó)大陸市場(chǎng)首次超過北美和日本,半導(dǎo)體設(shè)備銷售額達(dá)到64.6億美元,同比增長(zhǎng)13%,成為全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售第三大市場(chǎng)。 2017年,中國(guó)大陸市場(chǎng)仍處于全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售第三大市場(chǎng),以27%的增速達(dá)到了82.3億的市場(chǎng)規(guī)模。

全球半導(dǎo)體設(shè)備投資額呈上漲趨勢(shì)

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    產(chǎn)品市場(chǎng)集中度高,美日技術(shù)領(lǐng)先,以美國(guó)應(yīng)用材料、荷蘭阿斯麥、美國(guó)拉姆研究、日本東京電子、美國(guó)科磊等為代表的Top10國(guó)際知名企業(yè)占據(jù)了全球集成電路裝備市場(chǎng)的主要份額。 2016年全球半導(dǎo)體專用設(shè)備前 10 名制造商銷售規(guī)模占全球市場(chǎng)的 79%,前 20 名銷售占比87%,前10名銷售占比92%,市場(chǎng)集中度高。

    3、新建產(chǎn)線資本支出中半導(dǎo)體設(shè)備支出占比高達(dá)80%

    晶圓制造設(shè)備在整個(gè)半導(dǎo)體制造設(shè)備中占比最大,投資占比達(dá)80%;晶圓制造設(shè)備種,光刻機(jī)占比最高(30%),其次是刻蝕設(shè)備(20%),PVD(15%),CVD(10%),量測(cè)設(shè)備(10%),離子注入設(shè)備(5%)等。

半導(dǎo)體設(shè)備投資占比拆分

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晶圓制造設(shè)備投資占比拆分

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    4、半導(dǎo)體制造核心設(shè)備市場(chǎng)市占率情況分析

    晶圓制造核心設(shè)備為光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、 PVD和CVD,四者總和占晶圓制造設(shè)備支出的75%;

    光刻機(jī)被荷蘭阿斯麥和日本的尼康及佳能壟斷,TOP3 市占率高達(dá)92.8%; 刻蝕機(jī)被美國(guó)的拉姆研究、應(yīng)用材料及日本的東京電子壟斷,TOP3 市占率高達(dá)90.5%; PVD被美國(guó)的應(yīng)用材料、 Evatec、 Ulvac壟斷,TOP3 市占率高達(dá)96.2%;CVD被美國(guó)的應(yīng)用材料、東京電子、拉姆研究壟斷,TOP3 市占率高達(dá)70%; PVD被美國(guó)的應(yīng)用材料、 Evatec、 Ulvac壟斷,TOP3 市占率高達(dá)96.2%;氧化/擴(kuò)散設(shè)備主要被日本的日立、東電和ASM壟斷, TOP3 市占率高達(dá)94.8%。

半導(dǎo)體制造核心設(shè)備市場(chǎng)Top 3市占率情況

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    5、全球半導(dǎo)體設(shè)備投資情況:中國(guó)地區(qū)比重日益提高

全球與中國(guó)集成電路設(shè)備投資規(guī)模情況

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    2017-2020全球集成電路設(shè)備投資規(guī)模小幅增長(zhǎng),CAGR=6.2%;中國(guó)集成電路設(shè)備投資額高速增長(zhǎng),CAGR=44.8%。預(yù)計(jì)2018年中國(guó)集成電路設(shè)備投資全球占比將達(dá)20%,超越臺(tái)灣,成為僅次于韓國(guó)的全球第二大半導(dǎo)體設(shè)備投資大國(guó)。

2017全球各地區(qū)集成電路裝備投資占比

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2018全球各地區(qū)集成電路裝備投資占比

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    二、光刻膠市場(chǎng)空間分析

    1、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)回暖促進(jìn)上游光刻膠需求

    2016年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模達(dá) 14 億美元,配套試劑規(guī)模達(dá) 19 億美元,隨著 16 年以來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)回暖,對(duì)上游需求不斷增長(zhǎng),預(yù)計(jì) 2018 年全球半導(dǎo)體光刻膠規(guī)模將接近 16 億美元,配套試劑規(guī)模將突破 20 億美元。

全球半導(dǎo)體光刻膠及配套試劑規(guī)模(億美元)

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    2、國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)空間分析

    產(chǎn)業(yè)東遷,國(guó)內(nèi)光刻膠市場(chǎng)空間巨大。光刻膠下游需求量最大的三大行業(yè),都呈現(xiàn)出產(chǎn)能動(dòng)遷,中國(guó)占比提升的趨勢(shì)。 PCB 方面, 2006 年以來(lái),我國(guó)PCB 市場(chǎng)規(guī)模始終維持世界第一的基礎(chǔ)上,份額不斷增加, 2016 年我國(guó) PCB 市場(chǎng)規(guī)模占全球比重達(dá) 50%,預(yù)測(cè)今后我國(guó)PCB 市場(chǎng)規(guī)模仍將維持 3.5%的復(fù)合年增長(zhǎng)率;顯示面板方面,中國(guó)市占率不斷提升, 2016 年我國(guó)面板產(chǎn)能占全球比重為 26%,隨著京東方等十?dāng)?shù)家國(guó)產(chǎn)廠商擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目陸續(xù)投產(chǎn),預(yù)計(jì) 2018 年我國(guó)面板產(chǎn)能占比有望提升至 35%以上;半導(dǎo)體方面,我國(guó)集成電路市場(chǎng)增速自 2012 年以來(lái)始終維持在 10%以上,遠(yuǎn)高于全球平均增速, 2017 年,我國(guó) IC 國(guó)產(chǎn)自給率達(dá)到 36%,預(yù)計(jì) 2020 年將超過 40%。

    綜合來(lái)看國(guó)內(nèi)光刻膠需求量將持續(xù)增長(zhǎng), 2015年我國(guó)光刻膠需求量為 10 萬(wàn)噸,預(yù)計(jì)到 2022 年,我國(guó)光刻膠需求量將超過 27 萬(wàn)噸。

國(guó)內(nèi)光刻膠需求量

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    3、國(guó)內(nèi)光刻膠產(chǎn)品改善空間分析

    全球光刻膠下游應(yīng)用較為均衡, PCB 光刻膠、平板顯示光刻膠、半導(dǎo)體光刻膠以及其他應(yīng)用占比基本都在 25%左右,而國(guó)內(nèi)光刻膠主流應(yīng)用集中在 PCB 用光刻膠,占比超 90%,結(jié)構(gòu)較為單一,產(chǎn)品以低端為主,隨著國(guó)內(nèi)研發(fā)團(tuán)隊(duì)的不斷突破,國(guó)產(chǎn) LCD、半導(dǎo)體光刻膠占比有望提升。

全球光刻膠應(yīng)用結(jié)構(gòu)

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中國(guó)大陸光刻膠應(yīng)用結(jié)構(gòu)

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    高端光刻膠自給率較低,蘇州瑞紅實(shí)現(xiàn) i 線光刻膠量產(chǎn)。我國(guó)光刻膠供需比長(zhǎng)期維持在 90%左右, 2015 年我國(guó)光刻膠需求量為 10.16 萬(wàn)噸,產(chǎn)量為 9.7 萬(wàn)噸,供需比約為 95%,粗看之下,似乎已基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)自給,我國(guó)光刻膠產(chǎn)量中, PCB 光刻膠占比超 94%,而 LCD、半導(dǎo)體用高端光刻膠自給率仍然有待提升,目前蘇州瑞紅已實(shí)現(xiàn) i 線光刻膠量產(chǎn),在 248nm 光刻膠的攻關(guān)上,蘇州瑞紅與北京科華處于領(lǐng)跑地位。

    1975 年,國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備和材料組織(SEMI)制定了國(guó)際統(tǒng)一的超凈高純?cè)噭?biāo)準(zhǔn),以對(duì)應(yīng)不同線寬的集成電路應(yīng)用。從 SEMI 制定的國(guó)際統(tǒng)一超凈高純?cè)噭?biāo)準(zhǔn)可以看出,隨著集成電路制作要求的提高,工藝所需的試劑純度不斷提升。目前,國(guó)際上制備 G1 到 G4 級(jí)超凈高純?cè)噭┑募夹g(shù)都已經(jīng)趨于成熟。隨著集成電路制作要求的提高,對(duì)工藝中所需的電子化學(xué)品純度的要求也不斷提高。從技術(shù)趨勢(shì)上看,滿足納米級(jí)集成電路加工需求是超凈高純?cè)噭┙窈蟀l(fā)展方向之一。

    從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)來(lái)看,超凈高純?cè)噭┬枨罅空急冗_(dá) 88%,功能性材料占比達(dá) 12%。其中,超凈高純?cè)噭┲?,占比較大的依次是,雙氧水、硫酸、氫氟酸、硝酸以及磷酸;功能性材料中,占比較大的依次是,半導(dǎo)體用顯影液、刻蝕液、面板用顯影液、剝離液以及緩沖刻蝕液。

濕電子化學(xué)品產(chǎn)品結(jié)構(gòu)

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    4、國(guó)內(nèi)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模及自給率分析預(yù)測(cè)

    按下游應(yīng)用分類,濕電子化學(xué)品主要用于平板顯示、半導(dǎo)體以及光伏領(lǐng)域,其中,顯示面板與半導(dǎo)體的規(guī)模增長(zhǎng)將持續(xù)驅(qū)動(dòng)對(duì)上游濕電子化學(xué)品需求的增長(zhǎng)。2016年,我國(guó)濕電子化學(xué)品市場(chǎng)容量達(dá) 74 萬(wàn)噸,同比增長(zhǎng) 10%,市場(chǎng)規(guī)模達(dá)59 億元,同比增長(zhǎng) 14.5%,預(yù)計(jì) 2016-2019 年 CAGR 為 22%, 2019 年市場(chǎng)容量有望達(dá)到 130 萬(wàn)噸。

濕電子化學(xué)品需求量(萬(wàn)噸)

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濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模(億元)

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    5、國(guó)內(nèi)面板產(chǎn)能擴(kuò)張,驅(qū)動(dòng)上游濕電子化學(xué)品市場(chǎng)高速增長(zhǎng)。

    2016 年,我國(guó)面板用濕電子化學(xué)品需求量達(dá)到 37 萬(wàn)噸,市場(chǎng)規(guī)模約為30 億元,隨著面板廠商不斷擴(kuò)張產(chǎn)能,預(yù)計(jì) 2016 至 2019 年需求量復(fù)合年增長(zhǎng)率為 25%,則 2019 年需求量將達(dá)到 71 萬(wàn)噸,假設(shè)均價(jià)維持在 8250元/噸不變, 2019 年市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 59 億元。

顯示面板濕電子化學(xué)品需求量

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顯示面板濕電子化學(xué)品需求金額

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    三、半導(dǎo)體行業(yè)需求設(shè)備情況分析

    1、半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品需求量

    濕電子化學(xué)品主要用于半導(dǎo)體集成電路前段的晶圓制造及后端的封裝測(cè)試環(huán)節(jié)。晶圓制造是屬于技術(shù)要求高的環(huán)節(jié),并且隨著集成電路的集成度不斷提高,要求線寬不斷變小,薄膜不斷變薄,相應(yīng)需要技術(shù)水平更高的濕電子化學(xué)品才能滿足工藝需求。同時(shí),為了能夠滿足芯片尺寸更小、功能更強(qiáng)大、能耗更低的技術(shù)性能要求,高端封裝領(lǐng)域所需的濕電子化學(xué)品技術(shù)要求也越來(lái)越高。后段用濕電子化學(xué)品主要應(yīng)用于高端封裝領(lǐng)域的清洗、濺射、黃光、蝕刻等工藝環(huán)節(jié)。

    8 寸以上市場(chǎng)國(guó)產(chǎn)化率仍有待提高。目前國(guó)內(nèi) 6 寸及以下晶圓加工用的濕電子化學(xué)品,國(guó)產(chǎn)化率為 80%,而 8 寸及以上晶圓加工的市場(chǎng),國(guó)產(chǎn)化率僅為 10%左右,綜合來(lái)看,整體半導(dǎo)體晶圓制作用濕電子化學(xué)品的國(guó)產(chǎn)化率在 25%左右,仍有較大提升空間。

    產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移帶來(lái)下游需求增長(zhǎng),將帶動(dòng)半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品市場(chǎng)維持高速增長(zhǎng)。2016 年,我國(guó)半導(dǎo)體用濕電子化學(xué)品需求量達(dá)到23.5 萬(wàn)噸,市場(chǎng)規(guī)模約為 22 億元,隨著晶圓制造、封測(cè)、 IDM 廠商不斷擴(kuò)張產(chǎn)能,預(yù)計(jì) 2016 至 2019 年需求量復(fù)合年增長(zhǎng)率為 28%,則 2019 年需求量將達(dá)到 44 萬(wàn)噸, 市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到 41 億元

半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品需求量

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半導(dǎo)體濕電子化學(xué)品需求金額

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    雙氧水與硫酸是消耗量最大的濕電子化學(xué)品,從綜合需求看,超凈高純?cè)噭┱紳耠娮踊瘜W(xué)品市場(chǎng)規(guī)模的 88%,而其中雙氧水與硫酸分別占其比重達(dá)19%、 18%,對(duì)應(yīng)綜合占比為 17%、 16%;從 12 寸晶圓廠需求來(lái)看,雙氧水與硫酸消耗量占比達(dá) 33%與 31%

濕電子化學(xué)品消耗占比

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    2、光刻機(jī)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

    隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的向前發(fā)展,不斷追求著尺寸更小、速度更快、性能更強(qiáng)的芯片。摩爾定律提出:當(dāng)價(jià)格不變時(shí),集成電路上可容納的元器件的數(shù)目,約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍,性能也將提升一倍。正是半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)于芯片的不斷追求推動(dòng)了光刻機(jī)產(chǎn)品的不斷升級(jí)與創(chuàng)新。

    從全球角度來(lái)看,高精度的光刻機(jī)長(zhǎng)期由ASML、尼康和佳能三家把持,從2011-2017歷年全球光刻機(jī)出貨比例可以看出,ASML,尼康,佳能三家公司幾乎占據(jù)了99%的市場(chǎng)份額,其中ASML光刻機(jī)市場(chǎng)份額常年在60%以上,市場(chǎng)地位極其穩(wěn)固

2011-2017全球光刻機(jī)出貨比例

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    2011-2017年頂級(jí)光刻機(jī)累計(jì)出貨量中,EUV完全由ASML壟斷,出貨來(lái)源達(dá)到100%,ArFi光刻機(jī)超過80%也都由ASML提供。尼康和佳能的先進(jìn)制程遠(yuǎn)落后于ASML,主要市場(chǎng)在中低端,最大優(yōu)勢(shì)僅在于成本;

    2017年全球晶圓制造用光刻機(jī)臺(tái)出貨不足300臺(tái),其中ASML共就出貨198臺(tái),占全球近7成的市場(chǎng)。其中EUV光刻機(jī)11臺(tái),ArFi光刻機(jī)76臺(tái),ArF光刻機(jī)14臺(tái),KrF光刻機(jī)71臺(tái),i-line光刻機(jī)26臺(tái)。

2011-2017年光刻機(jī)各品類累計(jì)出貨量來(lái)源

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    3、刻蝕設(shè)備需求情況分析

    2017-2020年,全球?qū)⑿略?2座半導(dǎo)體晶圓廠。 一個(gè)晶圓廠大概需要40-50臺(tái)刻蝕機(jī),單價(jià)在200萬(wàn)美元左右。 因此預(yù)計(jì)2017-2020年,全球新增晶圓廠僅刻蝕設(shè)備就將帶來(lái)50多億美元的市場(chǎng)需求。

    刻蝕機(jī)的工作原理是按光刻機(jī)刻出的電路結(jié)構(gòu),在硅片上進(jìn)行微觀雕刻,刻出溝槽或接觸孔??涛g利用顯影后的光刻膠圖形作為掩模,在襯底上腐蝕掉一定深度的薄膜物質(zhì),隨后得到與光刻膠圖形相同的集成電路圖形??涛g步數(shù)隨工藝制程變化情況

不同刻蝕機(jī)的市場(chǎng)份額情況

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    2017-2025年,按照收入計(jì)算,全球半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備市場(chǎng)的年復(fù)合增長(zhǎng)率為6.8%,按產(chǎn)量計(jì)算,從2017至2025年間年增長(zhǎng)率為8.5%。預(yù)計(jì)到2025年收入將達(dá)到138.9億美元,2016年度市場(chǎng)收入為78億美元,2016年度半導(dǎo)體蝕刻設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為173.3萬(wàn)臺(tái),到2025年底將達(dá)到389.1萬(wàn)臺(tái)。按照地理測(cè)算,亞太地區(qū)的市場(chǎng)占有率最大。該地區(qū)的優(yōu)勢(shì)被歸因于技術(shù)先進(jìn)的便攜式設(shè)備以及該地區(qū)的智能設(shè)備的出貨量上升。

全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模(億美元)

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全球刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模(萬(wàn)臺(tái))

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    863項(xiàng)目的時(shí)候,科技部在2001年提出了重點(diǎn)發(fā)展三款核心設(shè)備,一臺(tái)是北方華創(chuàng)的硅刻蝕機(jī),一臺(tái)是北京中科信的離子注入機(jī),還有一臺(tái)是上海微電子的光刻機(jī);雖然國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)的市場(chǎng)份額僅6%,但國(guó)內(nèi)企業(yè)也正在高端制程上不斷發(fā)力。 中微是唯一打入臺(tái)積電7納米制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商, 并與臺(tái)積電聯(lián)合進(jìn)行5nm認(rèn)證。 北方華創(chuàng)8英寸高密度等離子硅刻蝕機(jī)已進(jìn)入中芯國(guó)際產(chǎn)線,深硅刻蝕設(shè)備也挺近了東南亞市場(chǎng);先進(jìn)封裝制程中的刻蝕機(jī)已經(jīng)基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化,國(guó)產(chǎn)化率已超過90%,產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

    4、半導(dǎo)體PVD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及競(jìng)爭(zhēng)格局情況分析

    PVD下游應(yīng)用廣泛,集成電路、太陽(yáng)能產(chǎn)品、醫(yī)療設(shè)備、切削工具、建筑玻璃等各種應(yīng)用領(lǐng)域?qū)VD均有不斷增加的需求,預(yù)計(jì)全球PVD市場(chǎng)將出現(xiàn)快速增長(zhǎng)。 2016年,集成電路市場(chǎng)在全球物理氣相沉積市場(chǎng)中占據(jù)了40%以上的份額,預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年將保持主導(dǎo)地位;2015年全球半導(dǎo)體PVD設(shè)備市場(chǎng)為20.1億美元,預(yù)計(jì)2020年將達(dá)到35.5億美元,年均復(fù)合增長(zhǎng)率將達(dá)到12%。預(yù)計(jì)2017年亞太地區(qū)PVD設(shè)備市場(chǎng)將占到全球市場(chǎng)份額的45%

2015-2020全球PVD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模(億美元)

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2017全球PVD設(shè)備市場(chǎng)份額

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    5、CVD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及競(jìng)爭(zhēng)格局情況分析

    CVD用于各種應(yīng)用,例如微電子元件,數(shù)據(jù)存儲(chǔ),太陽(yáng)能產(chǎn)品,切割工具,醫(yī)療設(shè)備和一些其他最終用途應(yīng)用。其中微電子部分所占比重最大,2016年全球CVD市場(chǎng)中,微電子元件占到近40%的比重;預(yù)計(jì)全球半導(dǎo)體CVD設(shè)備市場(chǎng)將在未來(lái)五年內(nèi)以約1.1%的復(fù)合年增長(zhǎng)率增長(zhǎng),從2017年的83.7億美元到2023年達(dá)到89.2億美元;LPCVD是CVD設(shè)備中最大的技術(shù)領(lǐng)域,2014年占據(jù)CVD設(shè)備市場(chǎng)35.6%以上的份額。

2015-2020全球半導(dǎo)體CVD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模(億美元)

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    6、ALD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模及競(jìng)爭(zhēng)格局情況分析

    預(yù)計(jì)到2024年,全球原子層沉積(ALD)設(shè)備市場(chǎng)將達(dá)到80.59億美元,從2016年到2024年將以年復(fù)合增長(zhǎng)率29.1%的速度增加。在智能手機(jī)、微型打印機(jī)、電子游戲、便攜式媒體播放器、 DVD播放器和其他電子設(shè)備的生產(chǎn)中,對(duì)ALD設(shè)備和技術(shù)的需求有所增加。

    從地區(qū)分布來(lái)看,亞太地區(qū)ALD份額最大,約占60%。其次是北美和歐洲地區(qū),分別占20%和19%。

2015-2024全球ALD設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模

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    7、半導(dǎo)體前端檢測(cè)設(shè)備占比情況分析

    前道檢測(cè)主要為工藝流程控制設(shè)備,后道檢測(cè)主要為自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備,從市場(chǎng)規(guī)模上來(lái)看,工藝流程控制設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為51億美元,占比60%,自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備(ATE)市場(chǎng)規(guī)模為34億美元,大概占總測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)份額的40%。

    在工藝流程檢測(cè)市場(chǎng)全球競(jìng)爭(zhēng)格局中,科磊半導(dǎo)體市占率為50%,位居第一位,遙遙領(lǐng)先,應(yīng)用材料市占率12%左右,位居第二,日立的市占率10%左右,位居市場(chǎng)第三。前三大設(shè)備商市占率為72%,市場(chǎng)集中度較高。

2017年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備細(xì)分情況(億美元)

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全球半導(dǎo)體前端檢測(cè)市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局

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    8、半導(dǎo)體后道測(cè)試設(shè)備行業(yè)分析

    2017年ATE市場(chǎng)規(guī)模34億美元,工藝流程控制設(shè)備市場(chǎng)規(guī)摸為51億美元,預(yù)計(jì)2018年ATE市場(chǎng)份額處于30-33億美元之間,到2025年ATE市場(chǎng)預(yù)計(jì)將達(dá)到45.9億美元;從行業(yè)集中度來(lái)看,美國(guó)泰瑞達(dá)(Teradyne)、日本愛德萬(wàn)(Advantest)兩家公司測(cè)試設(shè)備全球市場(chǎng)份額2016年占比已高達(dá)63.5%,市場(chǎng)集中度很高。

2013-2018ATE市場(chǎng)規(guī)模情況

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    在眾多下游細(xì)分市場(chǎng)中,SOC測(cè)試、存儲(chǔ)器測(cè)試、高級(jí)射頻測(cè)試是市占率最高的,其中SOC和存儲(chǔ)測(cè)試市占率兩者合計(jì)將超過80%,SOC測(cè)試、存儲(chǔ)器測(cè)試、高級(jí)射頻測(cè)試三者加起來(lái)市占率超95%。

半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備細(xì)分市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

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SOC芯片測(cè)試市場(chǎng)情況估計(jì)

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    9、全球清洗機(jī)市場(chǎng)規(guī)模分析

    2017年全球半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模接近30億美元。預(yù)計(jì)2015-2024年復(fù)合年增長(zhǎng)率將達(dá)到6.8%。

    2015年全球半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng)前三名為SCREEN、東京電子和拉姆研究,合計(jì)占據(jù)市場(chǎng)87.7%的份額。其中SCREEN市占率最高,2016年全球半導(dǎo)體晶圓清洗設(shè)備市場(chǎng),SCREEN市占率為53%。

2015-2020年全球清洗設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模

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    10、離子注入機(jī)市場(chǎng)格局

    目前,全球離子注入機(jī)市場(chǎng)規(guī)模為10億美元左右,從全球競(jìng)爭(zhēng)格局上看,應(yīng)用材料長(zhǎng)期以來(lái)占據(jù)了70%以上的市場(chǎng),除此之外,美國(guó)的亞舍立科技發(fā)展迅猛,市場(chǎng)分額也在不斷增加。

    由于芯片尺寸不斷縮小,為了實(shí)現(xiàn)淺層摻雜,低能大束流日漸成為主流。目前,低能大束流占有離子注入機(jī)市場(chǎng)的55%。從大束流離子注入機(jī)整體格局看,主要由三家龍頭企業(yè)掌控。應(yīng)用材料收購(gòu)Varian公司成為老大,占有40%的市場(chǎng)份額;其次是Axcelis,占有32%的市場(chǎng)份額;第三家是AIBT,占有25%的市場(chǎng)份額,前三家企業(yè)包攬了97%以上的市場(chǎng)份額,行業(yè)高度集中。

全球離子注入機(jī)市場(chǎng)格局

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低能大束流離子注入機(jī)市場(chǎng)分額

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    11、CMP市場(chǎng)規(guī)模及競(jìng)爭(zhēng)格局分析

    2017年全球化學(xué)機(jī)械平面化市場(chǎng)價(jià)值為36.7億美元,到2025年底將達(dá)到60.9億美元,2018 - 2025年間復(fù)合年增長(zhǎng)率為6.5%。

    CMP市場(chǎng)主要分為設(shè)備和耗材,其中CMP耗材占比接近68%,CMP設(shè)備僅僅為32%。

2017年全球CMP市場(chǎng)規(guī)模

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CMP市場(chǎng)主要由設(shè)備和耗材組成

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    CMP設(shè)備主要被應(yīng)用材料和日本的Ebara壟斷,兩者市占率之和超過90%; 拋光材料是CMP工藝過程中必不可少的耗材,根據(jù)功能的不同,可以劃分為拋光墊、拋光液、調(diào)節(jié)器、清潔劑等。目前,CMP拋光材料主要以拋光液(48%)和拋光墊(31%)為主。 全球芯片拋光液生產(chǎn)企業(yè)主要被日本 Fujimi、 Hinomoto Kenmazai 公司,美國(guó)卡博特、杜邦、 Rodel、 Eka,韓國(guó)的 ACE等所壟斷,占據(jù)全球 90%以上的高端市場(chǎng)份額;拋光墊市場(chǎng)主要被陶氏化學(xué)公司所壟斷,市場(chǎng)份額超過80%,其他供應(yīng)商還包括日本東麗、 3M、臺(tái)灣三方化學(xué)、卡博特等。

全球CMP設(shè)備供應(yīng)商市占率

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2017年全球CMP拋光材料細(xì)分市場(chǎng)分析

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    四、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)

    半導(dǎo)體行業(yè)是一個(gè)永不停息的行業(yè),人類社會(huì)的文明便是靠著科學(xué)家們潛心研發(fā)出來(lái)的這些小元件支撐的,常見的電源管理芯片、場(chǎng)效應(yīng)管、肖特基二極管等電子產(chǎn)品也發(fā)揮了它們的作用。但任何產(chǎn)業(yè)都不會(huì)是一帆風(fēng)順的,過了2018年,2019年的日子里,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也將會(huì)面臨多種難題。

    1、2019年半導(dǎo)體整體周期下行

    2018年9月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)409.1億美元,創(chuàng)下單月新高,但同比增速放緩至13.8%。截至11月23日的近一月來(lái),費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)下跌3.9%。根據(jù)市場(chǎng)一致預(yù)期,有機(jī)構(gòu)跟蹤的全球22家公司中,有18家下一財(cái)年業(yè)

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    半導(dǎo)體行業(yè)要看的是頭部的公司,特別是海外的龍頭公司。而不是去看那些小而美的公司,因?yàn)樵诎雽?dǎo)體領(lǐng)域,小往往并不美。

    從數(shù)據(jù)來(lái)看,半導(dǎo)體行業(yè)的疲軟至少在2019年的第一季度不會(huì)有所好轉(zhuǎn)。同時(shí),世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)(WSTS)預(yù)測(cè),由于中美的影響,全球經(jīng)濟(jì)不明因素多。因此將2019年全球半導(dǎo)體銷售額成長(zhǎng)率預(yù)估值自6月預(yù)估的年增4.4%下修至年增2.6%,年增幅將創(chuàng)3年來(lái)(2016年以來(lái)、年增1.1%)新低水準(zhǔn)。

    存儲(chǔ)器銷售額預(yù)估將年減0.3%,為三年來(lái)首次陷入萎縮。分領(lǐng)域來(lái)看,比如,在計(jì)算機(jī)芯片領(lǐng)域,虛擬貨幣挖礦需求減退拖累行業(yè)增長(zhǎng)。

    英偉達(dá)指出,虛擬貨幣挖礦需求的減退導(dǎo)致原來(lái)用于挖礦的二手顯卡充斥市場(chǎng),導(dǎo)致公司游戲顯卡業(yè)務(wù)出現(xiàn)近14個(gè)財(cái)務(wù)季度以來(lái)的首次環(huán)比倒退,AMD的顯卡業(yè)務(wù)受同樣原因掣肘;英特爾10nmCPU延遲推出加之現(xiàn)有產(chǎn)品持續(xù)缺貨,對(duì)存儲(chǔ)器等需求造成影響。應(yīng)該來(lái)說(shuō),這些都是行業(yè)頹勢(shì)的表現(xiàn)。

    需求轉(zhuǎn)弱、中美摩擦加劇是主要兩個(gè)負(fù)面因素。比如設(shè)備方面,受美國(guó)加強(qiáng)半導(dǎo)體技術(shù)出口管制以及行業(yè)放緩等影響,主要美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備公司9月以來(lái)下跌明顯。

    讓人頭疼的是,這個(gè)因素暫時(shí)看不到減緩的跡象,尤其在談判的過程中,可能出現(xiàn)各種意外的因素,如HW高管事件和中興事件等等,都會(huì)對(duì)國(guó)內(nèi)以半導(dǎo)體為核心的自主可控領(lǐng)域形成壓制。

    2、政策面進(jìn)入靜默期

    以半導(dǎo)體國(guó)家大基金(一期)驅(qū)動(dòng)的密集投資為標(biāo)志,近幾年政策層面對(duì)半導(dǎo)體的加碼達(dá)到了高峰。

    截至2017年底,大基金一期累計(jì)有效決策投資67個(gè)項(xiàng)目,累計(jì)承諾投資額1188億元(實(shí)際出資超過800億);各地方政府配套的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基金也達(dá)到了幾千億;半導(dǎo)體領(lǐng)域成長(zhǎng)性強(qiáng)、特色鮮明的公司,也都集中在近兩三年上市,2017年內(nèi)上市約14家,2016年上市5家,2014-2015年上市6家。

    半導(dǎo)體領(lǐng)域大的政策預(yù)期,就是國(guó)家大基金二期項(xiàng)目了。據(jù)查證,仍正在募資中,預(yù)計(jì)規(guī)模1500-2000億。重點(diǎn)投資方向:存儲(chǔ)芯片、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、化合物半導(dǎo)體等等。

    2019年是很多省市規(guī)劃建設(shè)的重點(diǎn)半導(dǎo)體項(xiàng)目的投產(chǎn)年,也是大考年。不僅僅對(duì)項(xiàng)目本身,對(duì)于各地方政府,也會(huì)明顯意識(shí)到半導(dǎo)體生產(chǎn)線項(xiàng)目“高風(fēng)險(xiǎn)、長(zhǎng)周期、持續(xù)燒錢”的特點(diǎn);

    加之宏觀經(jīng)濟(jì)不振和地方債務(wù)高企,外部環(huán)境復(fù)雜性和風(fēng)險(xiǎn)系數(shù)都顯著提升,國(guó)內(nèi)很多地方政府對(duì)投資和發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的信心可能會(huì)受到不小挑戰(zhàn),政策支持和政府資金投入可持續(xù)性面臨考驗(yàn)。

    由于地方政府對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資是維持國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)高景氣度的最重要驅(qū)動(dòng)因素之一,而隨著地方政府的熱情有所下降,疊加全行業(yè)本身面臨的低谷周期,2019年可能進(jìn)入到全行業(yè)的洗牌時(shí)刻。近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)器項(xiàng)目福建晉華被美制裁,影響極大。 

本文采編:CY315
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2025-2031年中國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)市場(chǎng)全景評(píng)估及投資前景研判報(bào)告
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《2025-2031年中國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)市場(chǎng)全景評(píng)估及投資前景研判報(bào)告》共九章,包含全球及中國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝企業(yè)案例解析,中國(guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)政策環(huán)境及發(fā)展?jié)摿?,中?guó)半導(dǎo)體先進(jìn)封裝行業(yè)投資策略及規(guī)劃建議等內(nèi)容。

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