半導(dǎo)體晶圓廠可以分為6塊相對(duì)獨(dú)立的生產(chǎn)區(qū)域:擴(kuò)散、光刻、刻蝕、離子注入、薄膜沉積和拋光,分別對(duì)應(yīng)6個(gè)主要的制作工藝。
半導(dǎo)體加工的六大區(qū)域圖
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刻蝕是使用化學(xué)或者物理方法有選擇地從硅片表面去除不需要材料的過程,常用的設(shè)備為刻蝕機(jī)等。通常的晶圓加工流程中,刻蝕工藝位于光刻工藝之后,有圖形的光刻膠層刻蝕中不會(huì)受到腐蝕源的顯著侵蝕,從而完成圖形轉(zhuǎn)移的工藝步驟。
干法刻蝕流程示意圖
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刻蝕速率指刻蝕過程中去除硅片表面材料的速度,刻蝕剖面指的是刻蝕圖形的側(cè)壁形狀,通常分為各向同性和各向異性剖面;刻蝕偏差指的是線寬或關(guān)鍵尺寸間距的變化,通常由橫向鉆蝕引起,選擇比指的是同一刻蝕條件下兩種材料刻蝕速率比,高選擇比意味著不需要的材料會(huì)被刻除。
干法刻蝕的應(yīng)用圖
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介質(zhì)的干法刻蝕主要包括氧化物刻蝕和氮化硅的刻蝕,是最復(fù)雜的刻蝕過程。硅的等離子體干法刻蝕是硅片制造中的一項(xiàng)關(guān)鍵工藝技術(shù),主要作用為制作MOS柵結(jié)構(gòu)、器件隔離和DRAM電容結(jié)構(gòu)中的單晶硅槽。金屬刻蝕主要應(yīng)用于金屬互連線、通孔、接觸金屬等環(huán)節(jié)。
全球半導(dǎo)體設(shè)備市場集中度高,美日歐五大巨頭引領(lǐng)全球半導(dǎo)體設(shè)備市場。2017年全球五大半導(dǎo)體設(shè)備制造商分別為應(yīng)用材料、阿斯麥、拉姆研究、東晶電子、科磊,這五大半導(dǎo)體制造商在2017年以其領(lǐng)先的技術(shù)、強(qiáng)大的資金支持占據(jù)著全球半導(dǎo)體設(shè)備制造業(yè)超過70%的份額。
2017年全球前十大半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商排名
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2017年全球半導(dǎo)體設(shè)備廠商市場份額圖
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細(xì)分領(lǐng)域術(shù)業(yè)有專攻,全球設(shè)備行業(yè)龍頭各顯神通占據(jù)世界領(lǐng)先地位。隨著半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)步中器件互連層數(shù)增多,介質(zhì)刻蝕設(shè)備的使用量不斷增大,拉姆研究利用其較低的設(shè)備成本和相對(duì)簡單的設(shè)計(jì),逐漸在65nm、45nm設(shè)備市場超過TEL等企業(yè),占據(jù)了全球大半個(gè)市場,成為行業(yè)龍頭。
2017年全球刻蝕設(shè)備市場份額分布圖
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國外刻蝕設(shè)備巨頭公司持續(xù)投入較高研發(fā)費(fèi)用,通過自主研發(fā)維持競爭力。應(yīng)用材料受益于公司較大營收規(guī)模,研發(fā)費(fèi)用占比相對(duì)較低,2009至2017財(cái)年研發(fā)費(fèi)用投入占比在5%至15%之間徘徊,但絕對(duì)金額均穩(wěn)定在8至10億美元之間,研發(fā)實(shí)力雄厚。
中國半導(dǎo)體設(shè)備的進(jìn)口依賴問題較為嚴(yán)重,2017年國產(chǎn)化率僅為9%。2017年中國國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備48.07億元,據(jù)此計(jì)算中國半導(dǎo)體設(shè)備市場國產(chǎn)化率僅為9%。國內(nèi)設(shè)備市場仍主要由美國應(yīng)用材料、美國拉姆研究、日本東京電子、日本愛德萬、美國科磊等國外知名企業(yè)所占據(jù)。集成電路設(shè)備是集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基石,專用設(shè)備的大量依賴進(jìn)口不僅嚴(yán)重影響我國集成電路的產(chǎn)業(yè)發(fā)展,也對(duì)我國電子信息安全造成重大隱患。
半導(dǎo)體設(shè)備市場構(gòu)成圖
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2017年中國大陸進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備占比圖
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國產(chǎn)刻蝕設(shè)備制造企業(yè)憑借著地理、服務(wù)、價(jià)格等優(yōu)勢有望速度崛起,或?qū)?shí)現(xiàn)對(duì)國外領(lǐng)先公司的技術(shù)和業(yè)務(wù)的彎道追趕。2017年中微半導(dǎo)體研制的7nm等離子刻蝕機(jī)已在國際一流的集成電路生產(chǎn)線上量產(chǎn)使用,達(dá)到了國際先進(jìn)水平,目前介質(zhì)刻蝕機(jī)已得到了國內(nèi)外一流芯片制造企業(yè)的認(rèn)可。
在芯片需求持續(xù)上升、國產(chǎn)化投資加快、國家戰(zhàn)略支持的大背景下,中國大陸本土半導(dǎo)體制造企業(yè)的崛起有望帶動(dòng)一批本土優(yōu)秀企業(yè)共同成長,國產(chǎn)設(shè)備有望借助大陸晶圓產(chǎn)線的密集投資而實(shí)現(xiàn)滲透率提升,迎來最好的時(shí)代。
中國大陸設(shè)備市場的全球占比不斷升高,2018年有望趕超中國臺(tái)灣躍居全球第二大市場,2019年或?qū)④S升全球首位。
2005-2019年中國半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的全球占比圖
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中國大陸設(shè)備市場,連續(xù)五年擴(kuò)張,2018年有望首次突破百億級(jí)別達(dá)118億美/yoy+44%,2019年或?qū)②厔菅永m(xù)達(dá)173億美元/yoy+47%。預(yù)計(jì)2019年中國大陸市場規(guī)模有望達(dá)到173億美元/yoy+47%,大幅高于全球設(shè)備市場增速。
2017全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額的產(chǎn)品構(gòu)成圖
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外延并購只能追隨別人的腳步,自主研發(fā)才能占據(jù)行業(yè)制高點(diǎn),中國半導(dǎo)體設(shè)備公司只有跟得上中國本土晶圓廠的先進(jìn)制程技術(shù)并與之同步發(fā)展,才能抓住中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)崛起的歷史契機(jī)。
相關(guān)報(bào)告:智研咨詢發(fā)布的《2019-2025年中國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場供需預(yù)測及發(fā)展前景預(yù)測報(bào)告》


2025-2031年中國半導(dǎo)體設(shè)備電源行業(yè)市場競爭態(tài)勢及未來趨勢研判報(bào)告
《2025-2031年中國半導(dǎo)體設(shè)備電源行業(yè)市場競爭態(tài)勢及未來趨勢研判報(bào)告》共八章,包含中國半導(dǎo)體設(shè)備電源行業(yè)鏈結(jié)構(gòu)及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究,中國半導(dǎo)體設(shè)備電源行業(yè)重點(diǎn)企業(yè)布局案例研究,中國半導(dǎo)體設(shè)備電源行業(yè)市場及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。



