研判2025！中國內存互連芯片行業(yè)市場規(guī)模、產業(yè)鏈及技術趨勢分析：行業(yè)規(guī)模不斷擴張，未來需求將進一步放量[圖]

內容概要：內存互連芯片是實現(xiàn)內存數(shù)據高速傳輸與可靠訪問的核心組件，傳統(tǒng)產品體系包括內存接口芯片(RCD/DB)和內存模組配套芯片(SPD、TS、PMIC)，隨著AI及大數(shù)據應用的發(fā)展以及相關技術演進，內存互連芯片衍生出適應新型算力需求的品類，包括用于服務器內存模組的高帶寬內存接口芯片(MRCD/MDB)和用于PC內存模組的時鐘驅動器芯片(CKD)。受益于下游技術持續(xù)迭代及AI服務器滲透率不斷提升，2021-2024年期間，全球內存互連芯片市場規(guī)模除2023年受全球服務器及計算機行業(yè)需求下滑導致的客戶去庫存影響，出現(xiàn)下滑外，其余年份均呈增長態(tài)勢，市場規(guī)模由2020年的7.68億元增長至2024年的11.68億元，期間年復合增長率為11.1%。中國內存互連芯片行業(yè)發(fā)展不斷突破，市場規(guī)模持續(xù)擴張，2024年中國約占全球內存互連芯片行業(yè)20%的份額，市場規(guī)模為16.6億元，同比增長超50%。中國已成為全球AI、半導體領域重要玩家，未來隨著下游不斷發(fā)展，市場規(guī)模將保持增長態(tài)勢，占全球比重進一步提升。內存互連芯片屬于高速、非線性模擬及數(shù)?；旌想娐?，其產品研發(fā)復雜度極高，不僅需要深厚的技術沉淀，還依靠長期積累的知識產權與設計經驗，行業(yè)存在明顯的技術壁壘。高技術壁壘使得行業(yè)競爭者少，市場高度集中，2024年前三家企業(yè)分別為瀾起科技、瑞薩電子和 Rambus，累計占據了全球93.4%的市場份額，其中中國企業(yè)瀾起科技以36.8%的市場份額位居全球首位。

上市企業(yè)：瀾起科技（688008）、上海貝嶺（600171）、聚辰股份(688123)、佰維存儲(688525)、江波龍(301308)

相關企業(yè)：瀾起科技股份有限公司、瑞薩電子（中國）有限公司、聚辰半導體股份有限公司、深圳市江波龍電子股份有限公司、深圳佰維存儲科技股份有限公司、紫光國芯微電子股份有限公司、上海貝嶺股份有限公司、兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司、深圳萬潤科技股份有限公司、深圳市嘉合勁威電子科技有限公司、無錫海普存儲科技有限公司、長鑫存儲技術有限公司

關鍵詞：內存互連芯片、內存接口芯片、DDR5模組、內存模組

一、內存互連芯片行業(yè)相關概述

內存互連芯片是實現(xiàn)內存數(shù)據高速傳輸與可靠訪問的核心組件，傳統(tǒng)產品體系包括內存接口芯片(RCD/DB)和內存模組配套芯片(SPD、TS、PMIC)，隨著AI及大數(shù)據應用的發(fā)展以及相關技術演進，內存互連芯片衍生出適應新型算力需求的品類，包括用于服務器內存模組的高帶寬內存接口芯片(MRCD/MDB)和用于PC內存模組的時鐘驅動器芯片(CKD)。

相關報告：智研咨詢發(fā)布的《中國內存互連芯片行業(yè)市場發(fā)展形勢及投資潛力研判報告》

二、全球內存互連芯片行業(yè)市場現(xiàn)狀

1、市場規(guī)模

受益于下游技術持續(xù)迭代及AI服務器滲透率不斷提升，2021-2024年期間，全球內存互連芯片市場規(guī)模除2023年受全球服務器及計算機行業(yè)需求下滑導致的客戶去庫存影響，出現(xiàn)下滑外，其余年份均呈增長態(tài)勢，市場規(guī)模由2020年的7.68億美元增長至2024年的11.68億美元，期間年復合增長率為11.1%。

RCD/DB、模組配套芯片為內存互連芯片主導產品，廣泛應用于DDR4及DDR5內存模組上，2024年市場規(guī)模分別占比59.5%、38.0%。MRCD/MDB、CKD規(guī)模較小，分別占比1.6%、0.9%。

數(shù)據顯示，2024年全球RCD/DB市場規(guī)模為6.95億美元，同比增長27.6%；模組配套芯片市場規(guī)模為4.44億美元，同比增長89.0%，增長勢頭強勁，主要系DDR5滲透率迅速提升，帶動模組配套芯片需求快速放量，成為內存互連芯片增長主要驅動力。

2、企業(yè)格局

內存互連芯片屬于高速、非線性模擬及數(shù)?；旌想娐?，其產品研發(fā)復雜度極高，不僅需要深厚的技術沉淀，還依靠長期積累的知識產權與設計經驗，行業(yè)存在明顯的技術壁壘。該領域產品均遵循JEDEC行業(yè)標準，企業(yè)若想建立研發(fā)優(yōu)勢，需要深度參與甚至牽頭制定產品標準，在此過程中需與主流CPU、內存、服務器及云計算廠商開展密切的技術交流與合作，并同步推進產品研發(fā)。因此，這種標準-技術-生態(tài)的閉環(huán)體系，使得市場新進入者不僅要突破技術瓶頸，還需要對行業(yè)標準有深刻理解，并且能跟隨標準迭代快速推出最新一代具有競爭力的產品，由此形成難以跨越的技術門檻。高技術壁壘使得行業(yè)競爭者少，市場高度集中，2024年前三家企業(yè)分別為瀾起科技、瑞薩電子和 Rambus，累計占據了全球93.4%的市場份額，其中中國企業(yè)瀾起科技以36.8%的市場份額位居全球首位。

三、中國內存互連芯片市場現(xiàn)狀

中國內存互連芯片行業(yè)發(fā)展不斷突破，市場規(guī)模持續(xù)擴張，2024年中國約占全球內存互連芯片行業(yè)20%的份額，市場規(guī)模為16.6億元，同比增長超50%。中國已成為全球AI、半導體領域重要玩家，未來隨著下游行業(yè)不斷發(fā)展，市場規(guī)模將保持增長態(tài)勢，占全球比重進一步提升。

四、內存互連芯片行業(yè)產業(yè)鏈

1、產業(yè)鏈圖譜

內存互連芯片上游為半導體原材料和半導體設備，原材料包括硅片、光刻膠、電子氣體等，設備涉及光刻設備、刻蝕設備、清洗設備等；內存互連芯片作為芯片種類之一，其生產也包括設計、制造、封測三個環(huán)節(jié)。下游為內存互連芯片應用領域，內存互連芯片主要應用于服務器領域，部分應用于PC領域，下游行業(yè)的景氣度直接影響著內存互連芯片的市場需求容量。

2、服務器領域

內存模組是計算機架構的核心組成部分之一，主要作為 CPU 與硬盤的數(shù)據中轉站，用于臨時存儲數(shù)據，其存儲和讀取速度遠高于硬盤。DDR即雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲器，是在 SDRAM 基礎上發(fā)展而來。從DDR1到DDR5，DDR技術不斷進化，目前DDR4正處于成熟期，DDR5加速步入市場。DDR5即第五代雙倍數(shù)據速率同步動態(tài)隨機存取儲存器，作為新一代的 DRAM技術類型于2021年第四季度正式商用。相較于 DDR4，其具有更高的起始速度和計劃提升至更高的標準速度，以及更低的功耗。具體來看，DDR5的技術優(yōu)勢在于：（1）速度和帶寬提升：DDR5內存的數(shù)據傳輸速率提升較DDR4內存提升2-3倍，傳輸帶寬最高可達到6400MT/s，較DDR4提升50%，以提供更高的數(shù)據傳輸性能。（2）高頻率及時序：DDR5內存的內部時鐘頻率達到1.6-4.8GHz，較DDR4內存的0.8-1.6GHz更為高頻精細，以提供更高的穩(wěn)定性和保證信號完整性，更適用于多核服務器等應用場景。（3）低電壓低功耗：DDR5的工作電壓通常為1.1V，低于DDR4的1.2V以及DDR3內存的1.5V，有助于減少電能消耗和熱量產生，在移動設備和筆記本電腦等對電池壽命和散熱要求較高的場景中尤其具優(yōu)勢。同時DDR5將電源管理從主板移動至雙列直插式內存模塊DIMM上的PMIC上，此舉使得電源管理、電壓調節(jié)和上電順序在物理層面上更加貼近模塊上的存儲器件，有助于保障電源完整性，并增強了對PMIC運行方式的控制力。（4）內存容量提升：DDR5內存支持 64Gb SPD 及 256GB DIMMs容量，同時支持兩個獨立的32位子通道和更多的插槽配置，有助于提供更大的存儲空間。（5）ECC除錯機制：DDR5 內存內置On-die ECC除錯機制，能夠依靠自身功能修復DRAM單元(cell)，讓采用DDR5 DRAM的系統(tǒng)擁有更高的穩(wěn)定性。在服務器領域，DDR5 內存以其更高容量和更快數(shù)據傳輸速率的優(yōu)勢，正逐步替代DDR4 成為市場主流，2024年全球服務器內存模組出貨量為1.70億根，其中DDR5占比50.1%，超過DDR4占比，較2023年提升了近30個百分點。

隨著 DDR 升級換代，內存互連芯片技術也持續(xù)提升。內存互連芯片技術與內存 DDR 技術發(fā)展路徑、發(fā)展階段以及產品推出時間的匹配情況在 DDR3 前后有所不同。在 DDR2 和 DDR3 世代，最新內存技術首先應用在臺式電腦上，之后才在服務器上應用；從 DDR4 世代開始至 DDR5 世代，最新的內存技術首先在服務器上應用。目前內存互連芯片主要應用于服務器上。DDR5 世代的新型模組對內存接口芯片的用量大幅增加。DDR5 世代，LRDIMM的國際標準從 DDR4 世代的全緩沖“1+9”架構演化為“1+10”架構，DB 用量增加 1 顆。DDR5 世代推出的新型內存模組 MRDIMM、CSODIMM、CUDIMM，均采用全新的架構模式或全新內存接口芯片，帶來MRCD、MDB、CKD 芯片等全新增量。

3、PC領域

在PC領域，AI技術的突破為PC產業(yè)帶來了全新機遇。2024年傳統(tǒng)PC開啟向AI PC的重大轉變， AI PC正在成為PC行業(yè)新的出貨量增長點，2024年全球AI PC出貨量達4303萬臺，占PC出貨總量的17%；預計2025年全球AI PC出貨量將達1.14億臺，占PC出貨總量的43%。AI PC市場爆發(fā)，DDR5迎來強烈需求，DDR5將在游戲本和AI PC等高階終端加速滲透。

PC領域的DDR5內存模組（包括UDIMM/SODIMM/CAMM/LPCAMM）需要搭配一顆更高規(guī)格、價值量更高的SPD，并新增一顆PMIC，推動DDR5世代芯片價值量提升。此外，DDR5第一子代產品支持的速率是4800MT/s，當數(shù)據速率達到6400MT/s及以上時，PC內存模組（包括CUDIMM/CSODIMM/CAMM）需要新增加一顆CKD芯片，DDR5支持速率提升將進一步帶動芯片需求擴容。

四、內存互連芯片技術發(fā)展趨勢

1、服務器內存互連技術

在傳統(tǒng)內存模組RDIMM方面，內存互連技術遵循JEDEC標準持續(xù)演進，各子代產品支持的數(shù)據速率在持續(xù)提升。例如，DDR5第一子代內存接口芯片支持速率為4800MT/s，到了DDR5第五子代產品，支持速率提升至8000MT/s，而DDR5第六子代產品預計將會突破9000MT/s的速率。

在新型高帶寬內存模組MRDIMM方面，基于CPU多核化的技術演進，以及AI和高性能計算應用對內存帶寬日益增長的迫切需求，高帶寬內存互連技術也在迭代升級，新一子代產品支持的數(shù)據速率提升顯著。其中，第一子代MRDIMM最高支持8800MT/s速率，第二子代產品最高支持12800MT/s速率，預計第三子代產品支持速率將超過14000MT/s。MRDIMM采用LRDIMM“1+10”的基礎架構，需要搭配1顆MRCD芯片和10顆MDB芯片，這些新型高帶寬內存接口芯片與CPU的數(shù)據連接仍為單組內存信號，但是通過采用雙倍數(shù)據傳輸速率和時分數(shù)據復用技術，能夠將兩個標準速率的內存數(shù)據通道合并后進行倍頻傳輸，其與DRAM的數(shù)據連接則擴展為兩組獨立內存信號，可以在標準速率下對MRDIMM上面兩個內存陣列同時操作，實現(xiàn)雙倍速率讀寫。因此，與普通的RCD/DB芯片相比，MRCD/MDB芯片設計難度更高，構造也更為復雜。隨著MRDIMM技術逐步成熟以及相關生態(tài)日益完善，未來將有更多的服務器CPU支持第二子代MRDIMM，其將為下游應用提供更具性價比的高帶寬內存解決方案。

2、客戶端內存互連技術

在DDR4世代及DDR5初期，內存接口芯片只用于服務器內存模組，其核心功能是緩沖來自內存控制器的地址、命令及控制信號，從而提升內存數(shù)據訪問的速度及穩(wěn)定性，以滿足服務器CPU對內存模組日益增長的高性能及大容量需求。由于臺式機和筆記本電腦CPU及內存模組之間數(shù)據傳輸量相對較小，因此在這類設備中尚未需要對信號進行緩沖。

然而，隨著DDR5傳輸速率持續(xù)提升，時鐘信號頻率越來越高，信號完整性面臨瓶頸。當DDR5數(shù)據速率達到6400MT/s及以上時，原本無需信號緩沖的UDIMM、SODIMM（主要用于臺式機和筆記本電腦），也需要引入時鐘驅動器（CKD），對內存模組的時鐘信號進行緩沖和重新驅動，以提高信號完整性和可靠性。DDR5第一子代CKD芯片已于2024年開始在行業(yè)規(guī)模試用，支持速率可達7200MT/s，主流CPU廠商也發(fā)布了支持該產品的客戶端CPU。目前，JEDEC正在制定下一代CKD芯片的標準，同時積極推動配備下一代CKD芯片的CUDIMM和CSODIMM標準的進程。

此外，JEDEC還制定了尺寸更加緊湊的CAMM和LPCAMM內存模組的相關標準，以滿足筆記本電腦等設備的需求。其中CAMM內存模組采用DDR5 DRAM顆粒，需配合CKD、SPD和PMIC芯片使用；而LPCAMM內存模組采用LPDDR5DRAM顆粒，需配合SPD和PMIC芯片使用。

以上數(shù)據及信息可參考智研咨詢（www.techappsinsider.com）發(fā)布的《中國內存互連芯片行業(yè)市場發(fā)展形勢及投資潛力研判報告》。智研咨詢是中國領先產業(yè)咨詢機構，提供深度產業(yè)研究報告、商業(yè)計劃書、可行性研究報告及定制服務等一站式產業(yè)咨詢服務。您可以關注【智研咨詢】公眾號，每天及時掌握更多行業(yè)動態(tài)。